快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法

摘要

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法。本发明在化学机械抛光阶段引入氧化剂，通过粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程即可使被加工的SiC晶片获得具有原子台阶表面。该抛光工艺仅使用三个工艺，大大简化了SiC单晶的抛光流程，降低了成本；且每个工艺的工艺参数固定，这样利于抛光得到晶片加工质量的一致性和稳定性，提高了成品率；另外，整个工艺时长在10小时以内，较目前的主流工艺而言，大大缩短了抛光时间。

主权项

一种快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供SiC晶片，其中，所述SiC的基本参数为：(a)对于经过线切割得到的晶片，晶片厚度在250μm至1000μm，线痕深度小于10μm，晶片翘曲度小于50μm，晶片厚度不均匀性小于30μm；(b)对于经过研磨的晶片，晶片厚度在250μm至1000μm，表面粗糙度值小于10μm，晶片翘曲度小于50μm，晶片厚度不均匀性小于30μm；(2)对步骤(1)提供的所述SiC晶片，采用PH值为6.5至11、浓度为5％至30％、粒径为2μm至5μm的金刚石抛光液进行抛光，控制抛光压力为3g/cm2至10g/cm2，抛光盘转速为50rpm至90rpm；(3)对步骤(2)抛光后的SiC晶片，采用PH值为6.5至11，浓度为5％至30％，粒径为0.5μm至2μm的金刚石抛光液进行抛光，控制抛光压力为3g/cm2至10g/cm2，抛光盘转速为50rpm至90rpm；(4)对步骤(3)抛光后的SiC晶片，采用PH值为7.5至10，浓度为5％至30％，粒径为20nm至50nm的硅溶胶，以H2O2和硅溶胶之比为1∶5至1∶25的比例范围加入H2O2，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光压力为3g/cm2至10g/cm2，抛光盘转速为50rpm至90rpm。