氧化物半导体、薄膜晶体管和显示装置

摘要

本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。

主权项

一种薄膜晶体管，其包含：作为沟道形成区的氧化物半导体层；夹着所述氧化物半导体层的第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层和第二氧化硅层中的每一个与所述氧化物半导体层直接接触；以及夹着由所述氧化物半导体层、所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层形成的叠层的第一氮化物绝缘层和第二氮化物绝缘层，其中，氧化物半导体层包含O、In、Ga、和Zn，所含的Zn的浓度在5原子％和10原子％之间，并且所含的In和Ga的每个的浓度都在15原子％和20原子％之间。