发明名称 |
EUV光刻设备的源模块、光刻设备以及用于制造器件的方法 |
摘要 |
一种用在光刻设备中的源模块(10)被构造以产生极紫外(EUV)和伴随辐射,且包括被配置以与EUV辐射的源协作的缓冲气体。所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50%的透射率,对于所述伴随辐射具有至少70%的吸收率。 |
申请公布号 |
CN102084299B |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN200980126024.9 |
申请日期 |
2009.07.13 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
M·范赫鹏;W·索尔;A·亚库宁 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;H05G2/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种用在光刻设备中的源模块,所述源模块被构造成产生极紫外辐射和伴随辐射,所述源模块包括被配置以与所述极紫外辐射的源协作的缓冲气体,所述缓冲气体对于所述极紫外辐射具有至少50%的透射率和对于所述伴随辐射具有至少70%的吸收率,其中激光器的光被配置成传播通过第一区域和第二区域,其中激光产生等离子体被在所述第一区域中产生,所述源模块还包括压强阻挡构件,所述压强阻挡构件被配置成将所述缓冲气体限制到所述第二区域,缓冲气体在源和收集器之间的第二区域中的压强高于缓冲气体在第一区域中在泵浦激光的光束路径上的压强。 |
地址 |
荷兰维德霍温 |