双重图形化方法

摘要

一种双重图形化方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有第一掩膜层与第二掩膜层；各向异性刻蚀所述第一掩膜层与第二掩膜层，在所述第一掩膜层与第二掩膜层中形成第一开口，所述第一开口露出衬底表面；侧向部分刻蚀所述第二掩膜层，形成第二掩膜图案，且所述第二掩膜图案暴露出位于第二掩膜图案两侧的第一掩膜层；以第二掩膜图案为掩膜，刻蚀部分第一掩膜层厚度直至保留第一厚度的第一掩膜层；去除第二掩膜图案；在衬底表面形成第三掩膜层，所述第三掩膜层部分填充开口；以所述第三掩膜层为掩膜，刻蚀第一掩膜层直至暴露出衬底。本发明的双重图形化方法避免了衬底刻蚀不均匀的问题，有效提高了刻蚀效果。

主权项

一种双重图形化方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有第一掩膜层与第二掩膜层；各向异性刻蚀所述第一掩膜层与第二掩膜层，在所述第一掩膜层与第二掩膜层中形成第一开口，所述第一开口露出衬底表面；侧向部分刻蚀所述第二掩膜层，形成第二掩膜图案，且所述第二掩膜图案暴露出位于第二掩膜图案两侧的第一掩膜层；以第二掩膜图案为掩膜，刻蚀部分第一掩膜层厚度直至保留第一厚度的第一掩膜层，形成剖面呈“倒T”型的第一掩膜层，且“倒T”型“1”的纵截面为矩形，且“倒T”型“1”位于“倒T”型“一”的中间位置；去除第二掩膜图案；在衬底表面形成第三掩膜薄膜，回刻蚀所述第三掩膜薄膜，形成第三掩膜层，所述第三掩膜层部分填充开口，且第一厚度<所述第三掩膜层厚度≤第一掩膜层厚度；以所述第三掩膜层为掩膜，刻蚀第一掩膜层直至暴露出衬底；移除所述第三掩膜层。