发明名称 |
具有交叉阵列结构的自整流阻变存储器及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有交叉阵列结构的自整流阻变存储器及制备方法,涉及半导体集成电路及其制造技术领域,所述存储器包括:硅衬底,在所述硅衬底上设有至少一个与其垂直的纳米柱,绕所述纳米柱的侧壁一周设有阻变氧化层,绕所述阻变氧化层的外侧壁一周设有从下至上间隔设置的隔离层和金属层,所述纳米柱的材料为重掺杂硅。本发明通过按照一定的结构设置,实现了在不增加工艺复杂度的情况下,提供了一种适合于三维集成,并具有自整流特性的存储器。 |
申请公布号 |
CN102522418B |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN201110452945.3 |
申请日期 |
2011.12.29 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
高滨;康晋锋;刘力锋;刘晓彦 |
分类号 |
H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种具有交叉阵列结构的自整流阻变存储器,其特征在于,所述存储器包括:硅衬底,在所述硅衬底上设有至少一个与其垂直的纳米柱,绕所述纳米柱的侧壁一周设有阻变氧化层,绕所述阻变氧化层的外侧壁一周设有从下至上间隔设置的隔离层和金属层,所述纳米柱的材料为重掺杂硅。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |