一种生长晶体材料时的温度引导装置及其方法

摘要

一种生长晶体材料时的温度引导装置及其方法，涉及一种晶体材料生长设备的辅助温控装置，在炉室(21)内坩埚(6)的上端设有上盖(23)，上盖的下部与坩埚的上端之间设有导热通路；所述发热体(22)分别连接电源的正负极，发热体对坩埚辐射加热，同步也对坩埚上部的晶体材料(7)加热，同时由上盖的上盖外沿(2)形成发热体上端热能向坩埚的上部聚拢，由坩埚与上盖之间的导热通路引导热能向坩埚内晶体材料上部的加热，坩埚内晶体材料上部的温度获取高于坩埚内下部的晶体材料温度；本发明由上盖形成发热体热能向坩埚内晶体材料的上部聚拢，使上部的晶体材料获取较快的温度上升，实现了温度引导和最大化利用热能的目的。

主权项

一种生长晶体材料时的温度引导装置，包括炉室(21)、发热体(22)、坩埚(6)、冷却介质降温机构和导热通路，其特征是：在炉室(21)内设有坩埚(6)，坩埚(6)的外部设有发热体(22)，所述发热体(22)处于炉室(21)内，坩埚(6)的下部设有冷却介质降温机构，在坩埚(6)的上端设有上盖(23)，上盖(23)的下部与坩埚(6)的上端之间设有导热通路，由上盖(23)形成发热体(22)热能向坩埚(6)上部的聚拢，由导热通路引导热能向坩埚(6)内晶体材料(7)上部的加热，获取坩埚(6)内晶体材料(7)上部的温度高于坩埚(6)内下部的晶体材料(7)。