一种制备铜种子层的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，确切的说，具体涉及一种制备铜种子层的方法。本发明在使用传统工艺中制备完成铜种子层后，继续进行一除气工艺，可使通孔处沉积的铜流入通孔底部，然后再沉积一较薄的铜种子层，从而降低填充的深宽比，进而提高填充种子层底部的覆盖性，减少后续铜电镀时出现孔隙的几率，进而提高产品性能和良率。

主权项

一种制备铜种子层的方法，应用于后道铜互连工艺中，其特征在于，包括：提供一具有铜互连沟槽的衬底；于所述铜互连沟槽中沉积第一铜种子层；继续进行第二除气工艺后，于所述铜互连沟槽中沉积第二铜种子层；填充铜籽晶层充满所述铜互连沟槽后，继续铜电镀工艺；其中，所述第二铜种子层完全覆盖所述铜互连沟槽的底部及其侧壁。