发明名称 一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路
摘要 本发明公开了一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路,属于半导体器件测试技术领域。所述测试电路包括脉冲发生器、相位显示器、LCR表、电阻和选通开关;脉冲发生器的信号端与栅极电连接;脉冲发生器的接地端通过串联电阻与选通开关的固定端电连接;选通开关的两个选择端分别与源极和漏极电连接;脉冲发生器的接地端接地;LCR表的一端与栅极电连接,另一端与选通开关的固定端电连接;相位显示器电流输入端与栅极电连接,电压输入端与选通开关的固定端电连接。本发明不仅可以为评估器件的性能提供重要参数指标,而且对于优化功率MOSFET器件设计、提高器件的开关特性都具有重大意义。
申请公布号 CN103293390A 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN201310219744.8 申请日期 2013.06.04
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 温景超;王立新
分类号 G01R27/26(2006.01)I 主分类号 G01R27/26(2006.01)I
代理机构 北京市德权律师事务所 11302 代理人 刘丽君
主权项 一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路,其特征在于,包括脉冲发生器、相位显示器、LCR表、电阻和选通开关;所述脉冲发生器的信号端与栅极电连接;所述脉冲发生器的接地端通过串联电阻与选通开关的固定端电连接;所述选通开关的两个选择端分别与源极和漏极电连接;所述脉冲发生器的接地端接地;所述LCR表的一端与栅极电连接,另一端与选通开关的固定端电连接;所述相位显示器电流输入端与栅极电连接,电压输入端与选通开关的固定端电连接。
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