发明名称 | 发光二极管 | ||
摘要 | 本发明公开一种发光二极管,其包括蓝宝石基板、N型半导体层、有源层、P型半导体层、第一电极与第二电极。N型半导体层位于蓝宝石基板上。有源层具有缺陷密度为DD的活性区,其中DD≥2x107/cm3,有源层位于N型半导体层与P型半导体层之间。有源层发出的光波长λ为222nm≤λ≤405nm,有源层包括i层的量子阻障层及(i-1)层量子阱。各量子阱于任两层量子阻障层之间,且i为大于等于2的自然数。掺杂N型掺质于量子阻障层中的至少k层,k为大于等于1的自然数,当i为偶数时,k≥i/2,当i为奇数时,k≥(i-1)/2。第一电极与第二电极分别位于N型半导体层上与P半导体层上。 | ||
申请公布号 | CN103296162A | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
申请号 | CN201210126954.8 | 申请日期 | 2012.04.26 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 傅毅耕 |
分类号 | H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
主权项 | 一种发光二极管,包括:基板;N型半导体层,位于该基板上;有源层,具有一缺陷密度DD,其中DD≥2x107/cm3,该有源层位于该N型半导体层的部分区域上,该有源层发出的光波长λ为222nm≤λ≤405nm,该有源层包括i层的量子阻障层以及(i‑1)层量子阱,各量子阱于任两层量子阻障层之间,且i为大于等于2的自然数,其中掺杂N型掺质于该些量子阻障层中的至少k层,k为大于等于1的自然数,当i为偶数时,k≥i/2,当i为奇数时,k≥(i‑1)/2;P型半导体层,位于该有源层上;以及第一电极以及一第二电极,其中该第一电极位于该N型半导体层的部分区域上,且该第二电极位于该P半导体层的部分区域上。 | ||
地址 | 中国台湾新竹县 |