| 发明名称 | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜及其制备方法、应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的GaN薄膜。所述La0.3Sr1.7AlTaO6衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面。本发明还公开了上述GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，同时本发明制备的GaN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN103296066A | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN201310214609.4 | 申请日期 | 2013.05.31 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 陈文姬 |
| 主权项 | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜，其特征在于，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的GaN薄膜。 | ||
| 地址 | 510641 广东省广州市天河区五山路381号 | ||