SOI晶片的制造方法

摘要

本发明是一种SOI晶片的制造方法，以使结构成为SOI晶片的SOI层的外周端位于较埋入式氧化膜的外周端更外侧的方式，进行去除该埋入式氧化膜的外周部的处理，然后，在包含氢的还原性环境或包含氯化氢气体的环境下，对SOI晶片进行热处理后，在SOI层的表面形成外延层。由此，提供一种方法，所述方法是在不产生溪谷状台阶（段差）的前提下，对利用离子注入剥离法制作而成且在平台部上没有硅氧化膜的SOI晶片，进行外延生长，从而可以制造具有所需SOI层厚度的SOI晶片。

主权项

一种SOI晶片的制造方法，其特征在于，在由硅单晶所构成的结合晶片的表面上形成硅氧化膜，通过该硅氧化膜，离子注入氢和稀有气体中的至少1种气体离子，以在前述结合晶片的内部形成离子注入层，隔着前述硅氧化膜将该结合晶片的经过离子注入的表面、与由硅单晶所构成的基体晶片的表面贴合后，以前述离子注入层为界来剥离前述结合晶片，由此来制作一种在前述基体晶片的外周的平台部上无氧化膜且将前述硅氧化膜作为埋入式氧化膜的SOI晶片；并且，以使结构成为该SOI晶片的SOI层的外周端位于较前述埋入式氧化膜的外周端更外侧的方式，进行去除该埋入式氧化膜的外周部的处理，然后，在包含氢的还原性环境或包含氯化氢气体的环境下，对前述SOI晶片进行热处理后，在前述SOI层的表面形成外延层。