背照式CMOS影像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法，其中，所述背照式CMOS影像传感器包括：半导体基底，所述半导体基底包括正面及背面；所述半导体基底的背面形成有多片滤光片；每相邻两片滤光片之间形成有金属遮蔽侧墙，所述金属遮蔽侧墙的顶面等于或者高于所述滤光片的表面。在本发明提供的背照式CMOS影像传感器及其制造方法中，每相邻两片滤光片之间形成有金属遮蔽侧墙，所述金属遮蔽侧墙的顶面等于或者高于所述滤光片的表面，由此，通过所述金属遮蔽侧墙能够将入射光线限定在一定范围内，防止了影像传感器的串扰问题，进而提高了背照式CMOS影像传感器的质量及可靠性。

主权项

一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底包括正面及背面；所述半导体基底的背面形成有多片滤光片；每相邻两片滤光片之间形成有金属遮蔽侧墙，所述金属遮蔽侧墙的顶面等于或者高于所述滤光片的表面。