发明名称 |
碳结构体的制造装置及制造方法 |
摘要 |
本发明涉及在基板上形成碳结构体的碳结构体的制造装置。该制造装置具备:形成收容基板的第一空间的第一室;向第一空间供给用于形成碳结构体的原料气体的原料气体供给装置;形成与第一空间不同的第二空间的第二室;向第二空间供给用于生成等离子体的气体的气体供给装置;在第二空间生成等离子体的等离子体生成装置;连接第一空间与第二空间的开口;和经由开口将在第二空间中生成的等离子体导入到第一空间的等离子体导入装置;基于被导入到第一空间的等离子体并利用原料气体,在基板上形成碳结构体。根据该制造装置,当在基板上形成碳结构体时,可抑制电极等的污染和异物等的发生,能够大面积地良好地形成碳结构体。 |
申请公布号 |
CN101506095B |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN200780031661.9 |
申请日期 |
2007.08.31 |
申请人 |
株式会社IHI |
发明人 |
中井宏;橘胜 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I;B01J35/02(2006.01)I;B01J37/02(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
温大鹏 |
主权项 |
一种碳结构体的制造装置,通过调整对基板施加的电位,在基板上形成碳结构体,其特征在于,具备:形成收容前述基板的第一空间的第一室;设置在前述第一室内并保持前述基板的基板保持器;向前述第一空间供给用于形成前述碳结构体的原料气体的原料气体供给装置;形成与前述第一空间不同的第二空间的第二室;向前述第二空间供给用于生成等离子体的气体的气体供给装置;在前述第二空间中生成等离子体的等离子体生成装置;连接前述第一空间与前述第二空间的开口;经由前述开口将在前述第二空间中生成的前述等离子体导入到前述第一空间的等离子体导入装置;基于被导入到前述第一空间的前述等离子体并利用前述原料气体,在前述基板上形成前述碳结构体,前述基板保持器调整前述基板与前述等离子体之间的距离,从而根据前述基板的电位来调整前述基板保持器与前述等离子体之间的电场强度。 |
地址 |
日本东京都 |