| 发明名称 | Si衬底上的高空穴迁移率p沟道Ge晶体管结构 | ||
| 摘要 | 本公开提供了一种用于实现在硅(“Si”)衬底上的高空穴迁移率p沟道锗(“Ge”)晶体管结构的装置和方法。一种示例性装置可以包括：包括GaAs成核层、第一GaAs缓冲层和第二GaAs缓冲层的缓冲层。所述示例性装置还可以包括在所述第二GaAs缓冲层上且带隙大于1.1eV的底部阻挡层、在所述底部阻挡层上且相对于所述底部阻挡层具有大于0.3eV的价带偏移的Ge有源沟道层、以及在所述Ge有源沟道层上的AlAs顶部阻挡层，其中，所述AlAs顶部阻挡层的带隙大于1.1eV。当然，在不偏离本实施例的情况下，可以有许多替代、变化和变型。 | ||
| 申请公布号 | CN101790790B | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN200880104492.1 | 申请日期 | 2008.08.25 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·K·胡代特;S·达塔;J·T·卡瓦列罗斯;P·G·托尔钦斯基 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 蹇炜 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：Si衬底；在所述Si衬底上的缓冲层，所述缓冲层从下到上包括GaAs成核层、第一GaAs缓冲层和第二GaAs缓冲层；在所述缓冲层上的底部阻挡层，所述底部阻挡层的带隙大于1.1eV；在所述底部阻挡层上的Ge有源沟道层，其中，所述底部阻挡层和所述Ge有源沟道层之间的价带偏移大于0.3eV；以及在所述Ge有源沟道层上的AlAs顶部阻挡层，其中，所述AlAs顶部阻挡层的带隙大于1.1eV。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||