发明名称 半导体激光器装置
摘要 本发明的半导体激光器装置采用了直接对封装(5)内部的散热器(2)流过冷却介质、并且确保封装(5)内部的气密性的构造。因此,能够抑制半导体激光器元件(1)以及封装(5)内部的温度上升,能够确保半导体激光器装置的可靠性、质量,并且可以搭载更高输出的半导体激光器元件(1)。
申请公布号 CN102474068B 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN201180002463.6 申请日期 2011.02.28
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 竹中义彰
分类号 H01S5/024(2006.01)I;H01L23/473(2006.01)I 主分类号 H01S5/024(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种半导体激光器装置,具备框体、设置在所述框体内并且在内部具有冷却介质通路的散热器、直接或者间接地安装在所述散热器上的激光射出部、和设置在构成所述框体的一个壁面外的平面部件,在与所述平面部件相对置的所述框体的所述壁面设置第1贯通孔和第2贯通孔,在所述第1贯通孔的内侧设置具备用于向所述散热器的所述冷却介质通路供给冷却介质的流路的第1流路形成部件,在所述第2贯通孔的内侧设置具备用于从所述散热器的所述冷却介质通路排出冷却介质的流路的第2流路形成部件,在所述平面部件的与所述第1流路形成部件相对应的位置上,设置用于向所述散热器的所述冷却介质通路供给冷却介质的第3贯通孔,在所述平面部件的与所述第2流路形成部件相对应的位置上,设置用于从所述散热器的所述冷却介质通路排出冷却介质的第4贯通孔。
地址 日本大阪府