光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法

摘要

本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。

主权项

一种光电转换装置，包括：第一半导体衬底，包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元；以及第二半导体衬底，包括：用于处理基于所述信号电荷的电信号的信号处理单元，所述信号处理单元位于从所述光电转换单元到所述第二半导体衬底的正交投影区域中；以及多层膜，包括在所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底之间设置的多个绝缘体层，其中所述第二半导体衬底的厚度小于500微米，并且所述第二半导体衬底的厚度大于所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。