非易失性存储器结构及其形成方法

摘要

一种非易失性存储器结构及其形成方法。其中非易失性存储器结构的形成方法包括：提供半导体衬底以及形成覆盖半导体衬底的表面区域的栅极电介质层。形成覆盖栅极电介质层的多晶硅栅极结构。该方法使多晶硅栅极结构经受氧化环境的影响，以使得形成覆盖多晶硅栅极结构的第一氧化硅层并且在多晶硅栅极结构的下面形成底切区域。形成覆盖多晶硅栅极结构并填充底切区域的氧化铝材料。在特定实施例中，氧化铝材料具有夹在第一氧化铝层与第二氧化铝层之间的纳米晶硅材料。氧化铝材料经受选择性蚀刻工艺，在底切区域的一部分中的嵌入区域中保留氧化铝材料。该方法形成覆盖多晶硅栅极结构的侧面区域的侧壁结构。

主权项

一种非易失性存储器结构的形成方法，所述方法包括：提供包括表面区域的半导体衬底；形成覆盖所述表面区域的栅极电介质层；形成覆盖所述栅极电介质层的多晶硅栅极结构；在所述多晶硅栅极结构的下面的部分栅极电介质层中形成底切区域；将所述多晶硅栅极结构置于氧化环境，形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层覆盖所述多晶硅栅极结构的外围；形成覆盖所述多晶硅栅极结构并填充所述底切区域的氧化铝材料，所述氧化铝材料包括夹在第一氧化铝层和第二氧化铝层之间的纳米晶硅材料；使所述氧化铝材料经受选择性蚀刻工艺，在所述底切区域的一部分中的嵌入区域中保留氧化铝材料；以及形成侧壁结构，所述侧壁结构覆盖所述多晶硅栅极结构的侧面区域；其中，所述形成覆盖所述多晶硅栅极结构并填充所述底切区域的氧化铝材料包括：沉积覆盖多晶硅栅极结构的外围区域的第一氧化铝层；沉积覆盖第一氧化铝层的纳米晶硅材料；沉积第二氧化铝层，覆盖纳米晶硅材料以完成氧化铝材料。