发明名称 |
EEPROM器件的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种EEPROM器件的制作方法,其中依次包括有如下步骤:首先,生长一层高压井注入的牺牲氧化层,形成高压井注入;然后,去除该牺牲氧化层,生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口;之后,淀积浮栅,在逻辑区刻蚀掉浮栅,再淀积ONO介质层,在逻辑区刻蚀掉ONO;最后,生长5V栅氧化层,作为低压井注入的牺牲氧化层,形成低压井注入,并制作低压器件。本发明通过上述方法,将高低压井注入放在高压栅氧生长后进行,避免了低压器件的沟道注入受到高压栅氧生长的影响而耗尽,从而增强了低压器件的阈值电压可调节性。 |
申请公布号 |
CN102110655B |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN200910202026.3 |
申请日期 |
2009.12.24 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
陈昊瑜 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
顾继光 |
主权项 |
一种EEPROM器件的制作方法,其特征在于,其中依次包括有如下步骤:首先,生长一层高压井注入的牺牲氧化层,形成高压井注入;然后,去除该牺牲氧化层,生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口;之后,淀积浮栅,在逻辑区刻蚀掉浮栅,再淀积ONO介质层,在逻辑区刻蚀掉ONO;最后,生长5V栅氧化层,作为低压井注入的牺牲氧化层,形成低压井注入,并制作低压器件;所述高压井和低压井形成于P型衬底中。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |