一种提高金属前介质层PMD空隙填充特性的工艺集成方法

摘要

本发明提供一种提高金属前介质层PMD空隙填充特性的工艺集成方法。其工艺步骤如下：1）在半导体硅衬底的有源区上形成栅极结构；2）进行上光阻工艺，光阻通过喷嘴被喷涂在高速旋转的晶圆表面，并在离心力的作用下被均匀地涂布在晶圆表面，形成厚度均匀的光阻薄膜；3）进行图形化处理，对半导体衬底的光刻胶层分别进行曝光，将布局图形转移至半导体衬底的光刻胶层上；4）使用干法刻蚀多晶硅栅极；5）去除光阻，形成带有开槽的栅极结构。本方法降低特定区域的PMD填充空间的高宽比，从而提高PMD制程在特定区域的无隙填充能力，减少了金属前介质层PMD形成空洞，可提高相应产品的成品率和良率，非常适于实用。

主权项

一种提高金属前介质层PMD空隙填充特性的工艺集成方法，其特征在于，其工艺步骤如下：1）在半导体硅衬底的有源区上形成栅极结构；2）进行上光阻工艺，光阻通过喷嘴被喷涂在高速旋转的晶圆表面，并在离心力的作用下被均匀地涂布在晶圆表面，形成厚度均匀的光阻薄膜；3）进行图形化处理，对半导体衬底的光刻胶层分别进行曝光，将布局图形转移至半导体衬底的光刻胶层上；4）使用干法刻蚀多晶硅栅极；5）去除光阻，形成带有开槽的栅极结构；其中，所述带有开槽的栅极结构的开槽区域仅限于衬底为浅沟槽区域的栅极。