| 发明名称 | 具有对准标记的结构及堆叠装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种具有对准标记的结构及堆叠装置的制造方法，该结构包括：一基底，具有一第一区及一第二区。一基底通孔电极(through substrate via，TSV)，位于基底内且穿过基底的第一区。一隔离层，位于基底的第二区，隔离层具有一凹口。一导电材料，位于隔离层上并顺应凹口内的隔离层，隔离层设置于导电材料与基底之间。本发明可防止对准标记内金属的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN102315198B | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN201010597701.X | 申请日期 | 2010.12.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡承祐;王势辉;邱建明;陈嘉和;蔡方文;吴文进;林俊成;邱文智;郑心圃;余振华 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;刘文意 |
| 主权项 | 一种具有对准标记的结构，包括：一基底，具有一第一区及一第二区；一基底通孔电极，位于该基底内且穿过该基底的该第一区；一隔离层，位于该基底的该第二区，该隔离层具有一凹口；以及一导电材料，位于该隔离层上并顺应该凹口内的该隔离层，该隔离层设置于该导电材料与该基底之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||