| 发明名称 | 电子器件用外延基板及其生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供电子器件用外延基板及其制造方法，其中适当调整翘曲并且将横向用作主电流传导方向。所述电子器件用外延基板具有单晶Si基板和通过在所述单晶Si基板上外延生长多个III族氮化物层而形成的III族氮化物层压结构，并且将横向用作主电流传导方向。单晶Si基板为p-型基板并且其电阻率为0.01Ω·cm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102272889B | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN200980153280.7 | 申请日期 | 2009.11.18 |
| 申请人 | 同和电子科技有限公司 | 发明人 | 生田哲也;清水成;柴田智彦 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种电子器件用外延基板，其包括：Si单晶基板；和通过在所述Si单晶基板上外延生长多个III族氮化物层而形成的III族氮化物层压体，其中将所述外延基板的横向定义为主电流传导方向，所述电子器件用外延基板的特征在于：所述Si单晶基板为具有不大于0.01Ω·cm电阻率值的p‑型基板，其中所述外延基板的截面翘曲形状满足以下关系式：||Bow|‑SORI|≤2μm。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||