发明名称 脉冲激光沉积法制备Al-N共掺杂P型ZnO薄膜
摘要 本发明公开了一种脉冲激光沉积法制备Al-N共掺杂P型ZnO薄膜,方法如下:1)靶材的选择:采用Al-Zn靶,其中Al含量为2.5wt.%~3.5wt.%;2)石英玻璃衬底的清洗;3)抽真空:将清洗后的石英玻璃片放入沉积室,将沉积室抽真空至3.0×10-4Pa~7.0×10-4Pa;4)向沉积室里充N2O气体(纯度为99.99%):使N2O气体压强在3~7Pa;5)薄膜沉积:采用脉冲激光器在石英玻璃衬底温度为480~520℃,沉积48~52min。本发明制备的Al-N共掺杂P型ZnO薄膜具有高度的002晶面优先取向和良好的结晶质量,表现出优异的光学性能。
申请公布号 CN103290366A 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN201310235493.2 申请日期 2013.06.14
申请人 沈阳飞机工业(集团)有限公司 发明人 韩培培;王丽;权纯逸;连建设
分类号 C23C14/28(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I 主分类号 C23C14/28(2006.01)I
代理机构 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 代理人 杨光
主权项 脉冲激光沉积法制备Al‑N共掺杂P型ZnO薄膜,其特征在于方法如下:1)靶材的选择:采用Al‑Zn靶,其中Al含量为2.5 wt.%~3.5 wt.%;2)石英玻璃衬底的清洗;3)抽真空:将清洗后的石英玻璃片放入沉积室,将沉积室抽真空至3.0×10‑4 Pa ~7.0×10‑4 Pa; 4)向沉积室里充纯度为99.99%的N2O气体:使N2O气体压强在3~7 Pa;5)薄膜沉积:采用脉冲激光器在石英玻璃衬底温度为480~520 ℃,沉积48~52 min。
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