发明名称 |
脉冲激光沉积法制备Al-N共掺杂P型ZnO薄膜 |
摘要 |
本发明公开了一种脉冲激光沉积法制备Al-N共掺杂P型ZnO薄膜,方法如下:1)靶材的选择:采用Al-Zn靶,其中Al含量为2.5wt.%~3.5wt.%;2)石英玻璃衬底的清洗;3)抽真空:将清洗后的石英玻璃片放入沉积室,将沉积室抽真空至3.0×10-4Pa~7.0×10-4Pa;4)向沉积室里充N2O气体(纯度为99.99%):使N2O气体压强在3~7Pa;5)薄膜沉积:采用脉冲激光器在石英玻璃衬底温度为480~520℃,沉积48~52min。本发明制备的Al-N共掺杂P型ZnO薄膜具有高度的002晶面优先取向和良好的结晶质量,表现出优异的光学性能。 |
申请公布号 |
CN103290366A |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN201310235493.2 |
申请日期 |
2013.06.14 |
申请人 |
沈阳飞机工业(集团)有限公司 |
发明人 |
韩培培;王丽;权纯逸;连建设 |
分类号 |
C23C14/28(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/28(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 |
代理人 |
杨光 |
主权项 |
脉冲激光沉积法制备Al‑N共掺杂P型ZnO薄膜,其特征在于方法如下:1)靶材的选择:采用Al‑Zn靶,其中Al含量为2.5 wt.%~3.5 wt.%;2)石英玻璃衬底的清洗;3)抽真空:将清洗后的石英玻璃片放入沉积室,将沉积室抽真空至3.0×10‑4 Pa ~7.0×10‑4 Pa; 4)向沉积室里充纯度为99.99%的N2O气体:使N2O气体压强在3~7 Pa;5)薄膜沉积:采用脉冲激光器在石英玻璃衬底温度为480~520 ℃,沉积48~52 min。 |
地址 |
110034 辽宁省沈阳市皇姑区陵北街1号 |