发明名称 |
一种纳米级超材料微结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种纳米级超材料微结构及其制备方法,将金属薄膜覆在涂有粘结剂的基板上,烘干并保持干燥;在金属薄膜表面涂抹一层光刻胶;将具有纳米级线宽图形的掩膜板对准光刻胶,用紫外线光对光刻胶进行曝光,然后去除未曝光的光刻胶;再通过腐蚀液去掉微结构以外的金属薄膜,从而在基板上获得纳米级线宽的微结构;本发明是把利用聚焦离子束技术制备的具有纳米级图形的基材作为掩膜板,再利用刻蚀技术大规模的制备具有纳米级微结构的超材料,成本低、工艺简单。 |
申请公布号 |
CN103288042A |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN201210050814.7 |
申请日期 |
2012.02.29 |
申请人 |
深圳光启创新技术有限公司 |
发明人 |
刘若鹏;赵治亚;金曦;熊晓磊 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种纳米级超材料微结构的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:a、将金属薄膜覆在涂有粘结剂的基板上,烘干并保持干燥;b、在金属薄膜表面涂抹一层光刻胶;c、将具有纳米级线宽图形的掩膜板对准光刻胶,用紫外线光对光刻胶进行曝光,然后去除未曝光的光刻胶;d、再通过腐蚀液去掉微结构以外的金属薄膜,从而在基板上获得纳米级线宽的微结构。 |
地址 |
518034 广东省深圳市福田区香梅路1061号中投国际商务中心A栋18B |