| 发明名称 | 鳍式场效应管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底和位于所述半导体衬底表面的介质层；刻蚀所述介质层和半导体衬底形成沟槽，所述沟槽包括贯穿所述介质层的第二子沟槽和位于半导体衬底内、且与第二子沟槽贯通的第一子沟槽；在所述沟槽内形成鳍部，所述鳍部表面高于介质层表面；形成位于所述半导体衬底表面、且横跨所述鳍部的顶部和侧壁栅极结构。形成方法简单，形成的鳍式场效应管的栅极漏电流小，器件性能稳定，且结构简单。 | ||
| 申请公布号 | CN103295902A | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN201210054233.0 | 申请日期 | 2012.03.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底和位于所述半导体衬底表面的介质层；刻蚀所述介质层和半导体衬底形成沟槽，所述沟槽包括贯穿所述介质层的第二子沟槽和位于半导体衬底内、且与第二子沟槽贯通的第一子沟槽；在所述沟槽内形成鳍部，所述鳍部表面高于介质层表面；形成位于所述半导体衬底表面、且横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||