发明名称 |
场发射电子源及应用该场发射电子源的场发射装置 |
摘要 |
本发明提供一种场发射电子源,其包括一碳纳米管微尖结构,该碳纳米管微尖结构包括:一绝缘基底,该绝缘基底具有一表面,该表面具有一边缘;一图案化碳纳米管膜结构,该图案化碳纳米管膜结构部分设置于该绝缘基底的所述表面,该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂,该两个条形臂在端部相连以形成一尖端,该尖端突出该绝缘基底所述表面的边缘并悬空设置,该图案化碳纳米管膜结构包括多个基本平行于该绝缘基底所述表面的碳纳米管。 |
申请公布号 |
CN103295853A |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN201210042270.X |
申请日期 |
2012.02.23 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种场发射电子源,其特征在于,包括一碳纳米管微尖结构,该碳纳米管微尖结构包括:一绝缘基底,该绝缘基底具有一表面,该表面具有一边缘;一图案化碳纳米管膜结构,该图案化碳纳米管膜结构部分设置于该绝缘基底的所述表面,该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂,该两个条形臂在端部相连以形成一尖端,该尖端突出该绝缘基底所述表面的边缘并悬空设置,该图案化碳纳米管膜结构包括多个基本平行于该绝缘基底所述表面的碳纳米管。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |