| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种能够抑制高电场的产生、抑制绝缘破坏的产生的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备：（a）准备作为由第1导电类型的碳化硅半导体构成的基底的n+基板（1）的工序；（b）在n+基板（1）上使用抗蚀剂图案（13）来形成包围元件区域的凹槽构造（14）的工序；以及（c）通过经由抗蚀剂图案（13）的杂质注入而在凹槽构造（14）内的凹槽底面（15）以及凹槽侧面（20）的面内形成作为第2导电类型的杂质层的保护环注入层（3）的工序，其中，凹槽构造（14）的拐角部分被杂质层（3）所覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN103299425A | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN201180064721.3 | 申请日期 | 2011.06.09 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 海老池勇史;中谷贵洋;渡边宽;藤井善夫;绫淳;中木义幸;川上刚史;中田修平 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金光华 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：（a）准备由第1导电类型的碳化硅半导体构成的基底（1）的工序；（b）在所述基底（1）上使用抗蚀剂图案（13）来形成包围元件区域的凹槽构造（14）的工序；以及（c）在所述工序（b）之后通过经由所述抗蚀剂图案（13）的杂质注入而在所述凹槽构造（14）内的凹槽底面（15）以及凹槽侧面（20）的面内形成第2导电类型的杂质层（3）的工序，其中，所述凹槽构造（14）的拐角部分被所述杂质层（3）所覆盖。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||