发明名称 一种超低待机功耗电源的控制电路
摘要 一种超低待机功耗电源的控制电路,在AC-DC原边控制转换器结构基础上,省去了外部启动电路,增设睡眠判断模块,包括高压启动Jfet管、睡眠判断比较器和RS触发器,外部供电通过变压器的初级电感连接Jfet管的漏极,芯片供电连接Jfet管的源极,Jfet管的栅极连接启动和低压锁定保护电路输出信号,睡眠判断比较器的正向输入端连接设定电压,反向输入端连接误差放大器的输出信号,睡眠判断比较器的输出信号连接RS触发器的R端,低压锁定保护比较器的输出信号连接RS触发器的S端,RS触发器输出睡眠或启动控制信号控制芯片大部分电路以及外围电路中开关管的使能,使芯片进入睡眠模式,降低系统待机功耗。
申请公布号 CN203193512U 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN201320133170.8 申请日期 2013.03.21
申请人 南京微盟电子有限公司 发明人 张洪俞;朱敏元;鲁华;夏晓娟
分类号 H02M3/335(2006.01)I 主分类号 H02M3/335(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 奚幼坚
主权项 1.一种超低待机功耗电源的控制电路,基于AC-DC 原边控制转换器拓扑结构,设有外围电路及内部控制电路,其特征在于,改进了芯片供电端的启动方式,在外围电路中省去了启动电路,在内部控制电路中增设睡眠判断模块,睡眠判断模块包括高压启动晶体管Jfet、睡眠判断比较器和RS触发器,其中:高压启动晶体管Jfet设置于外部供电V<sub>in</sub>与芯片供电VCC之间,外部供电V<sub>in</sub>通过外围电路中变压器的初级电感连接高压启动晶体管Jfet的漏极,芯片供电VCC连接高压启动晶体管Jfet的源极,高压启动晶体管Jfet的栅极连接内部控制电路中启动和低压锁定保护电路即启动和低压锁定保护比较器的输出信号uvlo,高压启动晶体管Jfet的初态为导通状态;睡眠判断比较器的正向输入端连接设定电压V3,反向输入端连接内部控制电路中误差放大器EA的输出信号V<sub>ea</sub>,其中,<img file="2013201331708100001DEST_PATH_IMAGE001.GIF" wi="152" he="22" />,<img file="2013201331708100001DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="22" he="21" />为系统输出满载功率的百分比,<i> V1、V2</i>分别是产生内部控制电路中输入至PWM脉宽调制器反向输入端的电压V<sub>ex</sub>的两个基准电压;睡眠判断比较器的输出信号SD连接RS触发器的置“0”端即R端,低压锁定保护比较器的输出信号uvlo连接RS触发器的置“1”端即S端,RS触发器输出睡眠或启动控制信号T<sub>urn_on/off</sub>控制内部控制电路中采样和保持电路、误差放大器、PWM脉宽调制器、限流比较器、驱动器的偏置电流或偏置电压使能端和外围电路中开关管的栅极。
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