| 发明名称 | TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法，其中，带有EBG的屏蔽结构的TSV或TGV转接板包括TSV或TGV转接板，以及所述EBG的屏蔽结构；所述带有EBG的屏蔽结构制备在所述TSV或TGV转接板中，或制备在所述TSV或TGV转接板两侧；所述EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层。本发明还提供一种TSV或TGV转接板制备方法，一种3D封装及其制备方法。本发明能有效降低垂直3D互联封装中芯片间的近场耦合问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103296008A | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN201210042080.8 | 申请日期 | 2012.02.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李君;万里兮;郭学平 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种带有EBG的屏蔽结构的TSV转接板或TGV转接板，其特征在于，包括：TSV或TGV转接板，以及带有所述EBG的屏蔽结构；所述带有EBG的屏蔽结构制备在所述TSV或TGV转接板中，或制备在所述TSV或TGV转接板两侧；所述带有EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||