用于晶圆级封装的电镀铜溶液及电镀方法

摘要

本发明公开了一种用于晶圆级封装的电镀铜溶液及电镀方法，所述电镀铜溶液包括：铜盐：120-300g/L；酸：10-200g/L；氯离子：30-80mg/L；含硫化合物：0.001-0.3g/L；聚氧醚类化合物：0.5-10g/L；聚乙二醇：0.05-5g/L；季铵盐：0.001-0.2g/L。所述电镀方法的工艺参数为：镀液温度为10-50℃，电流密度为0.2-20A/dm2。本发明电镀铜溶液可以抑制高电流密度区铜层生长，促进低电流密度区铜层生长，具有较强的均镀能力和分散能力。本发明得到铜柱表面平整，铜柱内应力低，而且适合大电流密度作业，可以提高生产效率。

主权项

一种用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，包括：铜盐：120‑300g/L；酸：10‑200g/L；氯离子：30‑80mg/L；添加剂，所述添加剂包括以下用量的组分：含硫化合物：0.001‑0.3g/L；聚氧醚类化合物：0.5‑10g/L;聚乙二醇：0.05‑5g/L；季铵盐：0.001‑0.2g/L；所述铜盐为无水硫酸铜，五水硫酸铜，甲基磺酸铜中的一种或几种；所述酸为硫酸，甲基磺酸中的一种或两种；所述聚氧醚类化合物是脂肪胺聚氧乙烯醚，聚氧丙烯甘油醚中的一种或两种。