半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置。根据一个实施例，半导体装置包括第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第四半导体区域、绝缘膜、控制电极、第一电极和第二电极。第一半导体区域包括碳化硅，并具有第一部分。第二半导体区域设置在第一半导体区域的上侧上，并包括碳化硅。第三半导体区域和第四半导体区域设置在第二半导体区域上，并包括碳化硅。电极设置在膜上。第二半导体区域具有第一区域和第二区域。第一区域与第三半导体区域和第四半导体区域接触。第二区域与第一部分接触。第一区域的杂质浓度高于第二区域的杂质浓度。

主权项

一种半导体装置，包括：第一半导体区域，包括第一导电类型的碳化硅，所述第一半导体区域具有第一部分；第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域的上侧上且与所述第一部分相邻，所述第二半导体区域包括第二导电类型的碳化硅；第三半导体区域，设置在所述第二半导体区域的上侧上且与所述第一部分间隔开，所述第三半导体区域包括所述第一导电类型的碳化硅；第四半导体区域，设置在所述第二半导体区域的上侧上，所述第四半导体区域包括所述第二导电类型的碳化硅；绝缘膜，设置在所述第一半导体区域、所述第二半导体区域和所述第三半导体区域的上侧上；控制电极，设置在所述绝缘膜上；第一电极，电连接至所述第三半导体区域；以及第二电极，电连接至所述第一半导体区域，所述第二半导体区域具有第一区域和第二区域，所述第一区域与所述第三半导体区域和所述第四半导体区域接触，所述第二区域与所述第一部分接触，所述第一区域的杂质浓度高于所述第二区域的杂质浓度。