发明名称 |
一种双深度浅沟道隔离槽的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种双深度浅沟道隔离槽的制备方法,通过逻辑区深浅沟道隔离槽工艺和感光区浅浅沟道隔离槽工艺这两道完全独立的制备工艺来完成双深度浅沟道隔离槽的制备,因而避免了深浅沟道隔离槽的双斜度形貌;同时利用浅浅沟道隔离槽的深度较浅的特点,直接将第二光刻胶层作为感光区浅STI刻蚀的掩膜层,从而避免了硬掩膜层在两道STI刻蚀中形成台阶状高度差的问题。 |
申请公布号 |
CN103295952A |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN201310195567.4 |
申请日期 |
2013.05.23 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
杨渝书;秦伟;黄海辉 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种双深度浅沟道隔离槽的制备方法,其特征在于,包括:提供包含感光区和逻辑区的衬底,在所述衬底上依次形成硬掩膜层和第一光刻胶层,所述第一光刻胶层在所述逻辑区形成有深STI图案;以所述第一光刻胶层和硬掩膜层为掩膜,进行逻辑区深STI刻蚀,在所述逻辑区形成深浅沟道隔离槽;在形成深浅沟道隔离槽的器件表面上形成第二光刻胶层,所述第二光刻胶层在所述感光区形成有浅STI图案;以所述第二光刻胶层为掩膜,进行感光区浅STI刻蚀,在所述感光区形成浅浅沟道隔离槽;重新暴露出所述深浅沟道隔离槽。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |