一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法

摘要

本发明提出了一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法，包括如下步骤：1）在半导体基板1上涂覆正性光刻胶层2；2）对光刻胶层2进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂；3）对光刻胶层2进行正性光刻胶显影液处理；4）对光刻胶层2进行曝光；5）对光刻胶层2进行曝光后烘焙处理；6）对光刻胶层2进行显影，显影液为正性光刻胶显影液；7）对光刻胶层2进行显影后烘焙处理处理。优点：本发明获得开口具有鹰嘴型的光刻剖面图形，可防止蒸发过程中光刻胶表面层金属与光刻图形底部金属相连，有助于金属剥离。比采用多层胶实现金属剥离具有工艺来的简单，同时又比采用负性光刻胶具有更好的图形分辨率，可实现可小线宽的图形剥离工艺。

主权项

一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：1）在半导体基板1上涂覆正性光刻胶层2，光刻胶层2厚度为0.9‑2.0μm；2）对光刻胶层2进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂，温度70‑100℃，时间30‑60秒；3）对光刻胶层2进行正性光刻胶显影液处理，处理时间在40秒‑600秒之间；4）对光刻胶层2进行曝光，曝光剂量依光刻胶种类、胶厚而定，若以i线正性光刻胶AZ7908为例，则胶厚在0.9‑2.0μm，曝光剂量在250‑450mJ/cm2,曝光焦距在0.0‑1.0；5）对光刻胶层2进行曝光后烘焙处理，温度120℃‑140℃，时间60秒‑120秒；6）对光刻胶层2进行显影，显影液为正性光刻胶显影液，时间60秒‑90秒；7）对光刻胶层2进行显影后烘焙处理处理，温度110℃‑120℃，时间90秒‑180秒。