发明名称 一种动态随机存取存储器的变频方法
摘要 本发明公开了一种DRAM的变频方法,包括:冻结与该DRAM相关的外部设备,禁止外部设备输出请求新数据的指令;控制DRAM进入省电模式或进行自刷新;将第一变频代码拷贝至预设缓冲区;运行第一变频代码,控制锁相环将DRAM的时钟频率调整至预设频率;控制DRAM退出省电模式或停止自刷新;解冻外部设备,允许外部设备输出请求新数据的指令。基于本发明公开的变频方法,在DRAM进行变频过程中,微处理器不会向DRAM发出访问请求,保证了微处理器不会从DRAM中获取错误数据,而是将已缓存的有效数据传输至外部设备,确保在DRAM变频过程中,外部设备不会获取错误数据的问题,进而提高用户的用户体验。
申请公布号 CN103295622A 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN201210056165.1 申请日期 2012.03.05
申请人 安凯(广州)微电子技术有限公司 发明人 操冬华;胡胜发
分类号 G11C11/406(2006.01)I 主分类号 G11C11/406(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 逯长明
主权项 一种动态随机存取存储器DRAM的变频方法,其特征在于,包括:冻结与所述DRAM相关的外部设备,禁止所述外部设备输出请求新数据的指令;控制所述DRAM进入省电模式或进行自刷新;将第一变频代码拷贝至预设缓冲区;运行所述第一变频代码,控制锁相环将所述DRAM的时钟频率调整至预设频率;控制所述DRAM退出省电模式或停止自刷新;解冻所述外部设备,允许所述外部设备输出请求新数据的指令。
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