| 发明名称 | 一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，该结构是在石墨烯材料与金属的接触区域使用多层石墨烯，在沟道区域使用单层石墨烯。利用本发明，减小了石墨烯与金属接触的电阻，从而有效的增加了石墨烯FET器件的开态电流，提高了器件的跨导和截止频率，并且改善了石墨烯FET器件的不对称性。 | ||
| 申请公布号 | CN103296065A | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN201310226207.6 | 申请日期 | 2013.06.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 金智;陈娇;麻芃;王显泰;彭松昂 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，其特征在于，该结构是在石墨烯材料与金属的接触区域使用多层石墨烯，在沟道区域使用单层石墨烯。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||