高频用开关电路

摘要

本实用新型提供一种高频用开关电路，能够以低功耗而且低成本、高性能地进行切换动作，而且不使用控制电压以外的电源。该高频用开关电路具有：第1及第2整流电路（12、22），包括至少一个整流元件（D11、D12、D21、D22），该整流元件的一端连接在第1及第2MOSFET电路（11、21）的栅极端子与第1及第2控制端子（CT1、CT2）之间，另一端与接地（GND）连接，由此使从第1及第2控制端子（CT1、CT2）朝向接地（GND）的方向成为正向；及连接部（3），将第1及第2整流电路（12、22）的整流元件的至少一个正向电流输入侧和第1及第2MOSFET电路（11、21）的任意一个主端子侧连接。

主权项

一种高频用开关电路，使用施加给第1控制端子的第1控制电压、以及/或者、施加给第2控制端子的第2控制电压，切换第1信号端子和第2信号端子中与共用信号端子连接的信号端子，所述第1控制端子控制所述共用信号端子与所述第1信号端子的连接，所述第2控制端子控制所述共用信号端子与所述第2信号端子的连接，所述高频用开关电路具有：第1信号部，具有第1MOSFET电路和第1整流电路，所述第1MOSFET电路的主端子中的一个主端子与所述共用信号端子连接，所述主端子中的另一个主端子与所述第1信号端子连接，栅极端子与所述第1控制端子连接，所述第1整流电路包括至少一个整流元件，该整流元件的一端连接在所述第1MOSFET电路的栅极端子与所述第1控制端子之间，另一端与接地连接，由此使从所述第1控制端子朝向接地的方向成为正向；第2信号部，具有第2MOSFET电路和第2整流电路，所述第2MOSFET电路的主端子中的一个主端子与所述共用信号端子连接，所述主端子中的另一个主端子与所述第2信号端子连接，栅极端子与所述第2控制端子连接，所述第2整流电路包括至少一个整流元件，该整流元件的一端连接在所述第2MOSFET电路的栅极端子与所述第2控制端子之间，另一端与接地连接，由此使从所述第2控制端子朝向接地的方向成为正向；以及连接部，将所述第1整流电路的整流元件的至少一个正向电流输入端子侧和所述第1MOSFET电路的任意一个主端子侧连接，而且将所述第2整流电路的整流元件的至少一个正向电流输入端子侧和所述第2MOSFET电路的任意一个主端子侧连接。