| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Behandeln mindestens eines Substrates (105, 106, 107) in einer Prozesskammer (101) eines Reaktorgehäuses, wobei das ein oder mehrere Substrat (105, 106, 107) auf einem mit Heizelementen (109, 110, 111) beheizbaren Suszeptor (108) aufgelegt wird, wobei mit den Heizelementen (109, 110, 111) räumlich zugeordnete Zonen des Suszeptors (108) beheizt werden, denen jeweils Oberflächenzonen (112, 113, 113', 114) der zur Prozesskammer (101) weisenden Seite des Suszeptors (108) zugeordnet sind, wobei an einer Mehrzahl von Messpunkten mittels optischer Messsensoren (1 bis 35) Temperaturen der Oberflächenzonen (112, 113, 113', 114) und/oder des dort angeordneten mindestens einen Substrates (105, 106, 107) gemessen werden, und die mit den Sensoren (1 bis 35) ermittelten Messwerte einer Regeleinrichtung (115, 116, 117, 122) zugeführt werden, mit der die Heizleistung der Heizelemente (109, 110, 110', 111) geregelt wird. Zur Optimierung der Temperaturregelung wird vorgeschlagen, dass zur Regelung der Heizleistung der Heizelemente (109, 110, 110', 111) jeweils eine Kombination von Temperatur-Messwerten verwendet wird.</p> |
