| 摘要 |
<p>어닐링 웨이퍼를 제조하는 방법은 어닐링 후의 잔류 보이드들 및 어닐링 웨이퍼 상에 형성된 산화막의 TDDB 특성의 열화를 방지하고, 실리콘 단결정에 함유될 수 있는 질소 농도의 범위를 확장시킬 수 있는 어닐링 웨이퍼를 제조하는 방법을 제공한다. 어닐링 웨이퍼를 제조하는 방법에서는, 결정 인상 속도 V와 결정 성장 축 방향의 평균 온도 구배 G간의 비율 V/G가 0.9 × (V/G)이상 2.5 × (V/G)이하가 되고, 결정 인상 노 내의 수소 분압이 3Pa 이상 40Pa 미만으로 설정되도록 결정 인상 조건들이 제어된다. 실리콘 단결정은 5 × 10원자/㎤를 초과하고 6 × 10원자/㎤ 이하인 질소 농도, 1 × 10원자/㎤ 이상 9 × 10원자/㎤ 이하인 탄소 농도를 가지며, 5ppma 이하의 불순물 농도를 갖는 불활성 가스 분위기 또는 비산화 분위기에서 열처리가 수행된다.</p> |
