| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Spin-Ventil zur Verwendung in MRAM-Speichereinheiten, das aus zwei senkrecht zur Schichtebene magnetisierten Schichten besteht, die von einer Zwischenschicht getrennt sind und wobei die Referenzschicht aus einem ferrimagnetischen Material gebildet ist und die freie Schicht aus einem ferro- oder ferrimagnetischen Material. In dem Spin-Ventil liegt zwischen der Referenzschicht und der freien Schicht ein Exchange Bias (Austauschanisotropie) vor, der die Vorzugsorientierung der freien Schicht stabilisiert. Das Spin-Ventil kann bei Raumtemperatur gelesen und komplett neu geschrieben werden (Reset). Der Exchange Bias des Spin-Ventils zeigt zudem keinen Trainingseffekt. Die zeitliche Stabilität gespeicherter Informationen ist gegeben in Abhängigkeit von der eingestellten Größe der Koerzitivfeldstärke der Referenzschicht.</p> |
