| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden eines Kontakts auf einem Halbleitersubstrat (50) mit den Schritten, Aufbringen mindestens eines Metalls (66) auf mindestens eine freiliegende Teilfläche (68) einer Außenseite des Halbleitersubstrats (50) und/oder einer auf das Halbleitersubstrat (50) aufgebrachten Schicht, wobei die Teilfläche (68) von mindestens einem Randbereich (70) einer Isolierschicht (58) umrahmt wird, und wobei der mindestens eine Randbereich (70) der Isolierschicht (58) zumindest teilweise mit dem mindestens einen Metall (66) bedeckt wird, Erhitzen des Halbleitersubstrats (50), wodurch das auf die mindestens eine Teilfläche (68) aufgebrachte mindestens eine Metall (66) mit mindestens einem Halbleitermaterial der mindestens einen Teilfläche (68) zu einem Halbleiter-Metall-Material als Endmaterial oder Weiterverarbeitungsmaterial des mindestens einen Kontakts reagiert, und Ausführen eines Ätzschritts unter Verwendung eines Ätzmaterials mit einer höheren Ätzrate für das mindestens eine Metall (66) als für das Halbleiter-Metall-Material. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Halbleitervorrichtung.</p> |
