| 发明名称 | 铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。其中，铌酸钾钠基无铅压电陶瓷由下列通式所示的化学组成(ABO3)1-x（CaZrO3）x（MnO2）y，其中，A为选自Na、K和Li的至少之一，B为选自Nb和Ta的至少之一，x表示CaZrO3占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的原子百分比，y为MnO2占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的质量百分比，并且0.03≤x≤0.07，0≤y≤0.04。该铌酸钾钠基无铅压电陶瓷具有较高的压电性能，其压电常数d33可以达到280～360pC/N，且其反向压电系数d33*在室温至175摄氏度的温度范围内的波动不超过10%。 | ||
| 申请公布号 | CN103274689A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201310237035.2 | 申请日期 | 2013.06.14 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 王轲;姚方周;李敬锋 |
| 分类号 | C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 李志东 |
| 主权项 | 一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其具有下列通式所示的化学组成(ABO3)1‑x（CaZrO3）x（MnO2）y，其中，A为选自Na、K和Li的至少之一，B为选自Nb和Ta的至少之一，x表示CaZrO3占所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的原子百分比，y为MnO2占所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的质量百分比，并且0.03≤x≤0.07，0≤y≤0.04。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||