| 发明名称 | 一种在CVD石墨烯上制备柔性器件和柔性衬底的工艺方法 | ||
| 摘要 | 一种在CVD石墨烯上制备柔性器件和柔性衬底的工艺方法，属于基于纳米碳（石墨烯）的柔性电子技术领域。在石墨烯层上制备柔性电子器件功能结构，石墨烯层是用CVD生长在金属催化剂衬底片上的，然后在柔性电子器件功能结构上制备柔性衬底；采用电化学鼓泡法使金属催化剂衬底片与石墨烯层分离：在电解槽中，将上述石墨烯的产品作为阴极，进行水的直流电解，在电解液的辅助下于阴极产生的氢气泡渗入金属催化剂衬底片与石墨烯层的界面间，最终分开；最后在表面涂覆石墨烯钝化层。本发明缩短了工艺流程、降低了成本，减小了对环境的重金属污染。 | ||
| 申请公布号 | CN103280541A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201310193868.3 | 申请日期 | 2013.05.23 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 孙捷;朱彦旭;郭伟玲;徐晨;韩军 |
| 分类号 | H01L51/56(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人 | 张慧 |
| 主权项 | 一种在CVD石墨烯上制备柔性器件和柔性衬底的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在石墨烯层（2）上制备柔性电子器件功能结构（5），石墨烯层（2）是用CVD生长在金属催化剂衬底片（1）上的，然后在柔性电子器件功能结构（5）上制备柔性衬底（6）；（2）采用电化学鼓泡法使金属催化剂衬底片（1）与石墨烯层（2）分离：在电解槽中，将步骤（1）得到的产品作为阴极，进行水的直流电解，在电解液的辅助下于阴极产生的氢气泡渗入金属催化剂衬底片（1）与石墨烯层（2）的界面间，最终使金属催化剂衬底片（1）与石墨烯层（2）分开；（3）最后在（2）的表面涂覆石墨烯钝化层（7）。 | ||
| 地址 | 100124 北京市朝阳区平乐园100号 | ||