高温氧化设备

摘要

本发明涉及微电子制造领域，确切的说，本发明具体涉及一种高温氧化设备，包括一立式筒状晶舟，通过在晶舟内设置多个自顶部半径至底部半径递增的圆台状的支撑环用以放置晶圆，同时保证每个支撑环斜面与晶舟内壁具有一倾斜角度α。在进行高温氧化工艺时，通入反应气体至晶舟内，由于支撑环具有一斜面，使得反应气体能够较容易流通至晶圆表面的中心位置处，减小了晶圆上表面边缘位置处与中心位置处的反应气体浓度差，进而在晶圆表面生长一层厚度较均匀的氧化膜，提高器件性能同时提升了生产工艺。

主权项

一种高温氧化设备，其特征在于，用于提高硅片上方所沉积的薄膜的厚度的均匀性，所述高温氧化设备包括一立式筒状晶舟，所述晶舟内设置有多个在竖直方向上等距离平行排列的支撑环，所述支撑环上下均匀排列分布于所述晶舟内；每个所述支撑环均为圆台状的环形支撑环，且每个支撑环的半径自顶部向底部逐步递增，支撑环底部的半径与晶舟的内径相同，从而将支撑环的底部的周边连接在晶舟的内壁上。