发明名称 具有背面浮动结的太阳能电池结构及其制作方法
摘要 本发明涉及一种具有背面浮动结的太阳能电池结构及其制作方法,该电池结构,在P型硅基体基体背面依次有p+硅铝合金层、n+磷轻掺杂层、SiO2薄膜层、SiNx薄膜层以及金属浆料层,金属浆料层与p+硅铝合金层形成欧姆接触或整流接触,p+硅铝合金层与n+磷轻掺杂层之间由SiO2薄膜层和SiNx薄膜层构成的叠层膜阻隔。制作方法为:硅片前处理;背面镀SiOx薄膜,通过控制掩膜的厚度,一次扩散工艺同时在前表面形成适合于丝网印刷的低方阻掺杂层,以形成PN结,在背表面形成适合于浮动结的高方阻掺杂层,以形成背面场。本发明的有益效果是:实现了一种可产业化的简便的制备背浮动结的方法,利用背面SiOx薄膜同时形成正反两面不同浓度掺杂层,优化了加工工艺,简化制备流程。
申请公布号 CN102403379B 申请公布日期 2013.09.04
申请号 CN201110405655.3 申请日期 2011.12.08
申请人 常州天合光能有限公司 发明人 杨阳
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0352(2006.01)I
代理机构 常州市维益专利事务所 32211 代理人 王凌霄
主权项 一种具有背面浮动结的太阳能电池的制作方法,其特征是:a)硅片清洗,去除损伤层,表面制绒;b)背面镀SiOx薄膜,通过控制该膜的厚度,后续扩散步骤时在前表面形成适合于丝网印刷的低方阻掺杂层,以形成PN结,同时在背表面形成适合于浮动结的高方阻掺杂层,以形成背面场;c)同时对硅电池片基体正反面进行磷扩散;d)背面定域开孔,可采用腐蚀性浆料或者激光开孔,去除局部的SiOx薄膜和n+浅扩层;e)酸清洗去除PSG及背面SiOx层;f)热氧生长双面SiO2层;g)双面镀SiNx薄膜;h)在步骤d所开大孔内的中心区域,继续开一小孔;i)正面印刷金属栅线;j)烘干;k)背面印刷铝浆;l)烧结。
地址 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号