| 发明名称 | SOI晶片及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种SOI晶片及其形成方法。其中SOI晶片的形成方法，包括：提供单晶硅片，所述单晶硅片上形成有掩膜层；刻蚀掩膜层和单晶硅片，形成若干沟槽；在沟槽侧壁及底部形成第一绝缘层；刻蚀去除沟槽底部第一绝缘层；沿沟槽刻蚀沟槽下方的单晶硅片，形成空洞；处理空洞内壁，形成第二绝缘层；在沟槽及空洞内填充满绝缘物质层。本发明工艺简单，制作成本低，形成的SOI晶片的质量高，并与标准体硅CMOS工艺制程兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN101996922B | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN200910165230.2 | 申请日期 | 2009.08.13 |
| 申请人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 发明人 | 黄河 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴靖靓;李丽 |
| 主权项 | 一种SOI晶片的形成方法，其特征在于，包括：提供单晶硅片，所述单晶硅片上形成有掩膜层；刻蚀掩膜层和单晶硅片，形成若干沟槽；在沟槽侧壁及底部形成第一绝缘层；刻蚀去除沟槽底部第一绝缘层；沿沟槽湿法刻蚀沟槽下方的单晶硅片，形成若干空洞；处理所述空洞内壁，形成第二绝缘层，所述各空洞之间互相连通；在沟槽及空洞内填充满绝缘物质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||