一种TSV正面端部互连工艺

摘要

本发明公开了一种TSV正面端部互连工艺，包括：采用刻蚀工艺在基底上制备若干TSV孔；在TSV孔内壁及基底表面制备绝缘层；在TSV孔中及绝缘层表面电镀形成TSV导电柱；CMP工艺，去除包括TSV导电柱在内的一定厚度的硅基底；对TSV导电柱进行退火，使TSV导电柱凸出于基底之上一定高度；在基底及TSV导电柱表面制备钝化层；去除部分钝化层，使TSV导电柱顶部暴露出钝化层；制备TSV导电柱的金属互连结构。本发明通过减小或去除了TSV端部拐角处的应力集中区，降低由于应力而产生绝缘层与基底之间分层或裂纹的可能性；同时利用电镀TSV导电柱并进行退火处理后，TSV导电柱会凸出这一现有工艺的缺陷，实现TSV导电柱与再分布层金属的互连。

主权项

一种TSV正面端部互连工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：S1、采用刻蚀工艺在基底上制备若干TSV孔；S2、在TSV孔内壁及基底表面制备绝缘层；S3、在TSV孔中及绝缘层表面电镀形成TSV导电柱，所述TSV导电柱由于TSV刻蚀工艺，会在端部拐角处产生应力集中区；S4、CMP工艺，去除包括TSV导电柱在内的一定厚度的硅基底以减小或消除TSV端部拐角处的应力集中区；S5、对TSV导电柱进行退火，使TSV导电柱凸出于基底之上一定高度；S6、在基底及TSV导电柱表面制备钝化层；S7、去除部分钝化层，使TSV导电柱顶部暴露出钝化层；S8、制备TSV导电柱的金属互连结构。