SiC单晶体的制造装置、在制造装置中使用的夹具以及SiC单晶体的制造方法

摘要

本发明提供一种能够抑制多晶体的生成的SiC单晶体的制造装置。在腔室（1）内容纳有夹具（41）和坩埚（6）。在坩埚（6）内容纳有SiC溶液（8）。夹具（41）包括晶种轴（411）和盖构件（412）。晶种轴（411）能够升降，在晶种轴（411）的下表面安装SiC晶种（9）。盖构件（412）配置在晶种轴（411）的下端部。盖构件（412）是下端敞开的壳体，且在内部配置晶种轴（411）的下端部。在制造SiC单晶体时，SiC晶种（9）浸渍在SiC溶液（8）中。进而，盖构件（412）的下端浸渍在SiC溶液（8）中。因此，盖构件（412）覆盖SiC溶液（8）中的、SiC单晶体周边的部分并进行保温。

主权项

一种SiC单晶体的制造装置，其中，该制造装置包括：腔室，其能够保存用于收纳SiC溶液的熔炉；晶种轴，其沿上述制造装置的上下方向延伸，并能够在下端面安装SiC晶种；以及盖构件，其是下端敞开并能够收纳在上述坩埚内的壳体，且在内部配置上述晶种轴的下端部。