发明名称 | 半导体封装结构 | ||
摘要 | 一种半导体封装结构,包括:芯片,所述芯片表面具有金属互连结构,位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层;位于所述金属互连结构上的柱状电极;位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面的扩散阻挡层;位于所述绝缘层表面且覆盖柱状电极侧壁的扩散阻挡层的钝化层,所述钝化层表面与所述柱状电极顶部的扩散阻挡层表面齐平;位于所述扩散阻挡层表面的焊球。由于所述焊球位于所述暴露出的扩散阻挡层表面,扩散阻挡层使得柱状电极与焊球相隔离,不会形成锡铜界面合金化合物,所述焊球不容易从柱状电极脱落。 | ||
申请公布号 | CN203179867U | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
申请号 | CN201220587063.8 | 申请日期 | 2012.11.08 |
申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 林仲珉 |
分类号 | H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种半导体封装结构,其特征在于,包括:芯片,所述芯片表面具有金属互连结构,位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层;位于所述金属互连结构上的柱状电极;位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面的扩散阻挡层;位于所述绝缘层表面且覆盖柱状电极侧壁的扩散阻挡层的钝化层,所述钝化层表面与所述柱状电极顶部的扩散阻挡层表面齐平;位于所述扩散阻挡层表面的焊球。 | ||
地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 |