真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法。它采用可蒸镀各种高低熔点的金属和氧化物材料的真空镀膜机，SiO2基片经抛光打磨；氨水：双氧水：去离子水混合液煮沸，去离子水冲净；盐酸：双氧水：去离子水混合液煮沸去离子水冲净；超声波和无超声波去离子水介质常温、加温抛洗；入氮气炉烘干；在真空舱内离子枪轰击表面清洗。在低气压环境下，对玻璃基片附加磁铁，使待镀玻璃基片在镀膜的整个过程始终处于稳定磁场当中，并用补偿式控制蒸镀薄膜材料的原子量比，使蒸镀制得的成品薄膜的合金成分与期望比例一致性好的短方向具有横向单轴磁各向异性的薄膜。具有工艺简单易行，制备成本低廉，成品薄膜的合金成分与期望比例一致性好，制得的FeSiB薄膜均匀、致密、稳定、牢固的特点。

主权项

一种真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法，采用可蒸镀各种高低熔点的金属和氧化物材料的真空镀膜机，在10‑4‑10‑3帕的低气压环境下，对其原子比为99.9％纯度的Fe：99.9％纯度的Si：99.9％纯度的B等于77.5∶7.5∶15的巨磁阻抗薄膜材料的蒸发源进行加热，使其蒸发成蒸气原子，淀积到横向两侧附加了磁铁，在镀膜的整个过程始终处于0.01T‑0.03T稳定磁场当中的待镀玻璃基片表面上形成FeSiB合金薄膜，其特征在于该待镀玻璃基片是经过如下6个步骤清洗的：(1)将基片用稀土抛光粉打磨；(2)将基片放置于容器中加入配比为：氨水∶双氧水∶去离子水为1‑1.2∶2～3∶5‑6的清洗液，加热煮沸10‑20分钟，然后用去离子水冲洗干净；(3)再置于容器中加入配比为：盐酸∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～3∶8‑10的清洗液，同样煮沸10‑‑12分钟后用去离子水冲洗干净；(4)将基片放入超声波清洗机的清洗槽中，在常温下进行超声波抛动清洗3～10分钟、关闭超声波，常温下对玻璃继续抛动清洗3～5分钟、开启超声波，水温控制在50℃～75℃，对基片抛动清洗3～8分钟，关闭超声波后再采用去离子水清洗介质对基片抛动清洗3～5分钟；(5)放入氮气炉中烘干；(6)蒸镀前在真空舱内，用离子枪轰击基片的表面5～10分钟。