发明名称 |
具有肖特基二极管的功率半导体结构及其制造方法 |
摘要 |
一种具有肖特基二极管(schottky diode)的功率半导体结构及其制造方法;其制造方法步骤包括:在形成栅极多晶硅结构的步骤中,同时形成一第一多晶硅结构于硅基材上;随后,通过第一多晶硅结构植入掺杂物至硅基材内,以形成本体区与源极掺杂区;接下来,形成一介电层于硅基材上,并以蚀刻方式形成一开口对应于第一多晶硅结构,并使源极掺杂区与本体区下方的漏极区裸露于外;开口的深度小于本体区的最大深度;随后,于开口内填入一金属层以电性连接至源极掺杂区与漏极区。本发明提出的制造方法具有低成本与高可行性的优点,有助于降低制造成本。 |
申请公布号 |
CN102214603B |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201010141906.7 |
申请日期 |
2010.04.06 |
申请人 |
科轩微电子股份有限公司 |
发明人 |
许修文;叶俊莹 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 |
代理人 |
王月玲;武玉琴 |
主权项 |
一种具有一肖特基二极管的功率半导体结构的制造方法,其特征在于,包括:形成一多晶硅层于一硅基材的表面,该多晶硅层包括至少一栅极多晶硅结构与至少一第一多晶硅结构,该第一多晶硅结构与该栅极多晶硅结构间隔一默认距离;以该第一多晶硅结构为屏蔽,植入掺杂物至该硅基材内,以形成至少一个本体区与至少一个源极掺杂区,该本体区位于该栅极多晶硅结构与该第一多晶硅结构间,该源极掺杂区位于该本体区之内;形成一介电层覆盖该栅极多晶硅结构、该第一多晶硅结构与该硅基材的裸露表面;形成一开口对应于该第一多晶硅结构,该开口至少贯穿该介电层,该开口的深度小于该本体区的最大深度,并且,该开口裸露该本体区下方的该硅基材;以及于该开口内填入一金属层。 |
地址 |
中国台湾台北县 |