发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明对于n型III族氮化物半导体获得良好的欧姆结合。在图1(b)中,在剥离层(21)上,依次成膜n型GaN层(11)、p型GaN层(13)、即进行生长工序。如图1(c)所示,在p型GaN层(13)的表面上面形成p侧电极(14)。如图1(d)所示,经由金属帽(31)在整个上面形成铜块(32)。之后,通过化学性处理去除剥离层(21),即进行剥离工序。接下来,对这个面上暴露出的n型GaN层(11)和p型GaN层(12)的层积构造进行了异方性湿式蚀刻,即进行表面蚀刻工序。如图1(f)所示,上述蚀刻后的N极性面其表面形状由{10-1-1}面群所构成的凹凸构成。其次,如图1(g)所示,在此状态的n型GaN层(11)的下面,形成n侧电极(电极)(12),即进行电极形成工序。 |
申请公布号 |
CN103283003A |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201080071007.2 |
申请日期 |
2010.12.28 |
申请人 |
同和电子科技有限公司;伟方亮有限公司 |
发明人 |
鸟羽隆一;门胁嘉孝;曹明焕;李锡雨;张弼国 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
一种半导体装置,其具备n型III族氮化物半导体层和与此n型III族氮化物半导体层表面形成欧姆接触的电极,其特征为,所述表面为半极性面。 |
地址 |
日本东京都 |